栅极控制石墨烯表面钴吸附原子的电离与屏蔽
材料科学
2015-05-19 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们描述了在沉积于背栅石墨烯器件上的单个钴（Co）原子上进行的扫描隧道谱（STS）测量。我们发现，石墨烯上的Co吸附原子可以通过施加全局背栅电压或通过扫描隧道显微镜（STM）针尖施加局部电场来电离。观察到以这种方式电离的Co吸附原子周围形成大的屏蔽云，并且我们观察到一些本征石墨烯缺陷表现出类似的行为。我们的结果为石墨烯中的带电杂质散射提供了新的见解，也为使用石墨烯器件作为化学传感器提供了可能性。
引用
@article{arxiv.1006.1014,
title = {Gate-Controlled Ionization and Screening of Cobalt Adatoms on a Graphene Surface},
author = {Victor W. Brar and Regis Decker and Hans-Michael Solowan and Yang Wang and Lorenzo Maserati and Kevin T. Chan and Hoonkyung Lee and Caglar O. Girit and Alex Zettl and Steven G. Louie and Marvin L. Cohen and Michael F. Crommie},
journal= {arXiv preprint arXiv:1006.1014},
year = {2015}
}
备注
19 pages, 4 figures