p型GaSb纳米线量子点器件的栅极调控、g因子与自旋轨道能量

量子信息应用的方案通常基于对限域于量子点中的自旋的相干操控。对于这些应用，p型III-V族材料体系有望在保持大$g$因子和强自旋轨道相互作用的同时减小超精细相互作用。在本工作中，我们研究底栅器件结构，以在肖特基接触的p型GaSb纳米线中实现单量子点与串联多量子点系统。我们发现，施加于栅电极的势对纳米线的影响高度局域于栅电极紧邻区域，这阻碍了利用常用器件结构形成双量子点。我们进一步研究了由底栅诱导的单量子点的输运性质，发现$g^*$因子存在高达$8.1\pm 0.2$的依赖于栅电压的显著变化，以及介于$110$-$230\,\mu$eV之间的自旋轨道能量。