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硅中深双施主镁的进一步研究

材料科学 2018-09-12 v3

摘要

硅中替代位硫族杂质的深双施主能级具有独特的光学性质,有望实现自旋/光子量子技术。硅中的间隙镁杂质(Mgi_i)同样是一个深双施主,但迄今尚未像硫族元素那样被详细研究。在本研究中,我们更详细地考察了天然硅与同位素富集的28-硅中中性及单次电离Mgi_i的吸收谱。对于硫族元素非常强且为所提议自旋/光子量子技术核心的1s(A1_1)到1s(T2_2)跃迁,未能检测到。我们观察到另一种双施主(Mgi_{i*})的存在,其可能源于处于降对称性构型中的Mgi_i,最有可能源于与其他杂质的络合。Mgi_{i*}的中性物种通过温度依赖研究揭示出不同寻常的低躺基态能级。我们还观察到一个浅施主,将其辨认为镁-硼对。

关键词

引用

@article{arxiv.1806.01965,
  title  = {Further investigations of the deep double donor magnesium in silicon},
  author = {Rohan Abraham and Adam DeAbreu and Kevin Morse and Valentina Shuman and Leonid Portsel and Anatoly Lodygin and Yuri Astrov and Nikolay Abrosimov and Sergey Pavlov and Heinz-Wilhelm Hübers and Stephanie Simmons and Michael Thewalt},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1806.01965},
  year   = {2018}
}