从广义Kohn-Sham方法的本征值确定有限体系的基本带隙
材料科学
2015-05-19 v1 原子与分子团簇
化学物理
计算物理
摘要
我们提出了一种广泛适用、物理动机明确的第一性原理方法，用于确定有限体系的基本带隙。该方法基于在密度泛函理论的广义Kohn-Sham框架内使用范围分离的杂化泛函。其关键要素是选择范围分离参数，使得中性体系和阴离子体系的Koopmans定理尽可能得到满足。我们在第一、第二和第三行原子、低聚并苯分子家族以及一组氢钝化硅纳米晶体上验证了该方法的有效性、准确性和优势。这将密度泛函理论的定量应用扩展到了一个长期被认为超出其能力范围的领域。
引用
@article{arxiv.1006.5420,
title = {Fundamental gaps of finite systems from the eigenvalues of a generalized Kohn-Sham method},
author = {Tamar Stein and Helen Eisenberg and Leeor Kronik and Roi Baer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1006.5420},
year = {2015}
}