一种用于固体基本带隙的新型广义 Kohn-Sham 方法
材料科学
2019-03-27 v1
摘要
我们开发了一种使用广义 Kohn-Sham 方法计算固态基态性质和基本带隙的方法，该方法将局域密度近似 (LDA) 泛函与长程显式交换轨道泛函相结合。我们发现，当根据公式 \gamma=A/(\eps_\inf - \eps_\tilde) 选择范围参数时（其中 \eps_\inf 是固体的光学介电常数，\eps_\tilde= 0.84，A= 0.216a0^(-1)），对于各种不同类型的固体，基本带隙的预测值接近实验值。对于大多数固体，范围参数 \gamma 很小（即仅在长距离时需要显式交换），因此晶格常数和体积模量的预测值与基于传统 LDA 计算的值相似。
引用
@article{arxiv.0903.3830,
title = {A new generalized Kohn-Sham method for fundamental band-gaps in solids},
author = {Helen R. Eisenberg and Roi Baer},
journal= {arXiv preprint arXiv:0903.3830},
year = {2019}
}