C60 晶体中的自由与陷阱捕获注入载流子
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
我们报道了 C60 单晶中双接触载流子注入产生的电导。在非线性区，电流和电压遵循幂律关系，I \~ V^m，其中 m 在室温下可高达 10。这种非线性行为——电阻减小 6 个数量级而无饱和——是有机体系中已报道的最高值之一，可通过自由载流子注入至陷阱填充区来解释。我们发现 H2 退火抑制了浅陷阱并增强了非线性。观察到非线性电阻的两种极限类型温度依赖性——在取向有序温度处电阻减小和增大。本文提出了一个包含深陷阱的简单模型来理解这一行为，并讨论了该模型对可能场效应晶体管作用的影响。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0210029,
title = {Free and Trapped Injected Carriers in C60 Crystals},
author = {V. Y. Butko and A. P. Ramirez and C. Kloc},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0210029},
year = {2007}
}