中文

NaAlH$_4$中本征缺陷的形成与迁移

材料科学 2014-12-16 v1

摘要

我们提出了对NaAlH4_4中本征缺陷的第一性原理研究。我们的分析表明,这些缺陷的结构和能量学可以用基本构建块来解释,其中包括 VAlH4+V_{\rm{AlH_4}}^+VNaV_{\rm{Na}}^-VH+V_{\rm{H}}^+、Hi_i^- 和 (H2_2)i_i。我们还计算了几个关键缺陷的迁移势垒,以便将扩散焓与实验测量的脱附激活能进行比较。由此,我们估算了缺陷及缺陷对扩散的激活能。我们提出 VAlH4+V_{\rm{AlH_4}}^+ 和 Hi_i^-,或 VNaV_{\rm{Na}}^-VH+V_{\rm{H}}^+,可能是导致脱附所需扩散的原因。我们讨论了 VH+V_{\rm{H}}^+-Hi_i^- 复合物形成的可能作用。我们发现的数值处于已报道的催化脱附激活能范围内。

关键词

引用

@article{arxiv.0911.2813,
  title  = {Formation and migration of native defects in NaAlH$_4$},
  author = {Gareth B. Wilson-Short and Anderson Janotti and Khang Hoang and Amra Peles and Chris G. Van de Walle},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0911.2813},
  year   = {2014}
}

备注

26 pages, 8 figures, 1 table; to appear in Phys. Rev. B 80 (2009)