拓扑绝缘体薄膜中的涨落内约瑟夫森效应
介观与纳米尺度物理
2013-08-14 v2
摘要
本文考虑了被电子和空穴占据的拓扑绝缘体薄膜相对表面之间的隧穿。我们预测 Cooper 电子-空穴对涨落（即其 Cooper 配对的前兆）会显著增强隧穿电导。Cooper 对涨落导致隧穿电导在临界温度附近表现出临界行为，其临界指数为 \nu=2。如果配对被无序抑制，隧穿电导在量子相变附近的行为同样表现出临界性，其指数为 \mu=2。该效应可被解释为涨落内约瑟夫森效应，并且是电子-空穴双层结构的普遍现象。本文还讨论了该效应在其他电子-空穴双层结构实现形式中的特性。
引用
@article{arxiv.1304.1436,
title = {Fluctuational internal Josephson effect in topological insulator film},
author = {Dmitry K. Efimkin and Yurii E. Lozovik},
journal= {arXiv preprint arXiv:1304.1436},
year = {2013}
}
备注
8 pages and 7 figures. Extended version accepted to Phys. Rev. B