邻近约瑟夫森结中的热涨落与磁通可调势垒

约瑟夫森结中热涨落的影响通常使用Ambegaokar-Halperin (AH)理论在热激活的背景下进行分析。先前已在邻近约瑟夫森结中发现由电流-电压特性展宽所体现的“增强”涨落。本文报道了对微米尺度正常金属环与薄超导电极接触的测量结果，其中非常规的环几何结构允许通过外加磁通调节结势垒；对于某些几何结构，势垒可以被有效消除。当穿过正常金属环的磁通接近半整数磁通量子时，以及对于具有更薄超导电极的器件，观察到更强的涨落。这些发现表明，激活势垒（即邻近结的约瑟夫森耦合能）与常规约瑟夫森结不同。简单的一维准经典理论可以预测由环结构引起的干涉效应，但若不考虑样品尺寸的细节，则无法精确计算耦合能的大小。因此，该系统的物理特性与超导细丝中的相位滑移过程相似。除了揭示邻近结中的热涨落外，本文的发现还展示了一种新型超导干涉器件，该器件具有两个共享器件两侧相同SN界面的正常分支，在制造对称干涉器件方面具有技术优势。