拓扑绝缘体薄膜中的拖曳效应与库珀电子 - 空穴对涨落

考虑了由占据拓扑绝缘体薄膜相对表面的电子和空穴形成的涨落库珀对在库仑拖曳效应中的表现。计算了涨落 Aslamazov-Larkin 对薄膜表面间横向电阻的贡献。该贡献在临界温度 $T_\mathrm{d}$ 附近最具奇异性，并以 $(T-T_\mathrm{d})^{-1}$ 的方式临界发散。在现实条件 $\gamma\sim T_\mathrm{d}$ 下（其中 $\gamma$ 为电子和空穴的平均散射率），Aslamazov-Larkin 贡献起着重要作用并可能主导涨落输运。基于含时 Ginzburg-Landau 方程的宏观理论被发展用于描述该系统中的涨落拖曳效应。所得结果可轻易推广至其他电子 - 空穴双层结构实现。