安德森绝缘体间库仑拖曳效应的测量
介观与纳米尺度物理
2008-02-28 v1 无序系统与神经网络
摘要
我们报告了在两个有效二维绝缘 a-Si_{1-x}Nb_{x} 薄膜之间观测到的库仑拖曳效应。我们发现，仅在有限的实验参数范围内才能测量到显著的线性响应横向电阻率 (\rho_{d})。\rho_{d} 的温度依赖性与层为 Efros-Shklovskii 安德森绝缘体的情况一致，但前提是假设存在三维态密度，且其局域化长度小于从直流层电导率获得的数值。
引用
@article{arxiv.0802.4073,
title = {Measurement of Coulomb drag between Anderson insulators},
author = {K. Elsayad and J. P. Carini and D. V. Baxter},
journal= {arXiv preprint arXiv:0802.4073},
year = {2008}
}
备注
4 pages, 4 figures