利用双圆偏振光对拓扑半金属体进行 Floquet 工程化

我们研究了双圆偏振光 (BCL) 照射对拓扑半金属的影响，包括多级级子费米子和线节点半金属。通过低能模型和晶格模型，我们展示了双级子费米子和线节点半金属的能带结构在 BCL 照射下呈现出丰富的特征。对于多级子费米子，如果两种频率分量的相对�幅 r 与相对频率 η 满足 r² = η，则能触点保持不变，无论物质相关参数如何，都不会发生位移或能隙开启。对于其他 BCL 参数的选择，我们发现既有能隙相位，也有位移能触点相位。线节点半金属也表现出多样化的相位，从受保护的线节点照射到点节点，通过调节 BCL 参数 r 和 η。总体而言，我们的解析和数值结果表明，BCL 是一种灵活的工具，可用于获得可调的拓扑相位。