掺杂与光掺杂 Mott 绝缘体中束缚态的 Floquet 工程调控
强关联电子
2024-06-10 v2 量子气体
量子物理
摘要
我们研究了在化学掺杂和光掺杂 Mott 绝缘体中,由自旋与 -配对涨落介导的束缚态在 2-腿梯型和 2D 系统中的出现。为在同等基础上有效描述光掺杂与化学掺杂态,我们采用 Schrieffer-Wolff 变换,得到广义 - 模型。我们的结果表明,化学掺杂与光掺杂机制下的束缚能和局域化长度相当,-配对涨落并未起关键作用。此外,我们展示了通过外部周期驱动(即所谓的 Floquet 工程)操控束缚态的可能性,从而显著增强束缚能。我们还基于费米黄金定则粗略估计了周期驱动条件下光掺杂态的寿命。最后,我们提出了在冷原子实验中实现 Hubbard 激子的实验方案。
引用
@article{arxiv.2311.04899,
title = {Floquet engineering of binding in doped and photo-doped Mott insulators},
author = {Madhumita Sarkar and Zala Lenarčič and Denis Golež},
journal= {arXiv preprint arXiv:2311.04899},
year = {2024}
}
备注
20 pages, 14 figures