光掺杂两轨道 Hubbard 模型中增强的配对磁化率
强关联电子
2018-04-18 v1
摘要
在多轨道 Hubbard 模型的掺杂 Mott 绝缘态中，局域自旋涨落为多轨道单态自旋三重态配对提供了 glue。在大的 Hubbard 排斥 下，配对磁化率仍然非常低，因为配对相互作用无法克服电荷涨落的抑制。利用两轨道 Hubbard 模型的非平衡动力学平均场模拟，我们表明在该大- 区域中，非平衡态下通过产生相关电荷态的光致布居可以强烈增强配对磁化率，并且该磁化率与局域自旋磁化率相关。由于配对的强烈增强要求电荷载流子具有低的动能，该现象通过光掺杂载流子借助局域自旋激发的产生而实现的超快冷却所支持。
引用
@article{arxiv.1801.07053,
title = {Enhanced pairing susceptibility in a photo-doped two-orbital Hubbard model},
author = {Philipp Werner and Hugo Strand and Shintaro Hoshino and Yuta Murakami and Martin Eckstein},
journal= {arXiv preprint arXiv:1801.07053},
year = {2018}
}