利用复吸收势从头算研究分子器件的瞬态电流
介观与纳米尺度物理
2015-06-12 v1
摘要
基于结合密度泛函理论 (DFT) 的非平衡格林函数 (NEGF)，即 NEGF-DFT 量子输运理论，我们提出了一种有效的形式体系，用于从头算计算阶跃脉冲下分子器件的瞬态电流。通过将 NEGF-DFT 与复吸收势 (CAP) 相结合，我们形式体系 (NEGF-DFT-CAP) 的计算复杂度与 成正比，其中 是含时瞬态计算中的时间步数。与至少按 缩放的最先进从头算含时计算算法相比，这种 阶技术大幅降低了计算负担，使得处理实际分子器件成为可能。为确保我们方法的准确性，我们进行了与精确 NEGF-TDDFT 形式体系对比的基准计算，结果吻合良好。作为示例，我们从头算研究了分子器件 Al-C-Al 的瞬态电流。
引用
@article{arxiv.1302.1259,
title = {First-principles investigation of transient current of molecular devices by using complex absorbing potential},
author = {L. Zhang and J. Chen and J. Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.1259},
year = {2015}
}