O 与 O2-NbSe2 复合体电子性质的第一性原理计算
材料科学
2022-02-15 v1
摘要
目的：我们研究了 O 与 O2 在单层二硒化铌（NbSe2）上的相互作用，利用 Quantum Espresso 6.7 中的第一性原理计算，对复合体的电子性质提供理论预测。众所周知，在 NbSe2 等本征纳米材料中考虑杂质非常重要，因为这会改变其某些性质。方法：本文中，我们对 O- 与 O2-NbSe2 复合体进行了电子密度拓扑分析和电子结构计算。电荷密度差（CDD）与 Bader 电荷分析表明，O 与 O2 充当氧化剂，并从 NbSe2 中聚集电子电荷。结果：复合体的电子性质计算显示，NbSe2 的金属性行为在 O 与 O2 吸附后得以保持。净电荷转移的计算表明，原子氧与分子氧聚集了电子电荷，而 NbSe2 耗散了电子电荷。这些结果显示了调控 NbSe2 电子性质的可能性。结论：O 与 O2 与单层 NbSe2 的相互作用引起了电荷重分布，同时保持了 NbSe2 的金属性。在所有情况下，结果与已有研究一致，表明修饰 NbSe2 电子性质的可能性，这可为纳米技术及其他纳米电子相关器件开辟一些潜在应用。
引用
@article{arxiv.2202.06082,
title = {First principles calculations of the electronic properties of O- and O2-NbSe2 complexes},
author = {Alvanh Alem G. Pido and Bryan P. Pagcaliwagan},
journal= {arXiv preprint arXiv:2202.06082},
year = {2022}
}
备注
14 pages, 13 figures