具有垂直各向异性的(Ga,Mn)As薄膜的磁性与域结构
强关联电子
2009-11-11 v2
摘要
通过多种技术探讨了含有垂直易磁轴的薄层GaMnAs的铁磁性,这些技术提供了关于该稀释铁磁半导体磁性和域结构的一组一致数据.磁层是在张应力下生长的,其覆盖在松弛的GaInAs缓冲层上,使用一种限制线程晶体缺陷密度的生长程序.磁力计、磁导率和极化磁光 Kerr 效应(PMOKE)测量揭示了该层的高品质,特别是通过其高Curie温度(130 K)和明确的磁各向异性.我们显示,磁化反转从有限数量的核化中心发起,并通过易于域壁传播来发展.此外,PMOKE显微镜允许我们详细表征磁域结构.特别是我们指出,域形状和壁运动对某些缺陷极其敏感,这防止了域的周期性排列.我们将这些缺陷归因于在磁层中出现的线程晶体缺陷,这是在松弛缓冲层上的生长模式所固有的.
引用
@article{arxiv.cond-mat/0602387,
title = {Finite Temperature Dynamics of the Spin 1/2 Bond Alternating Heisenberg Antiferromagnetic Chain},
author = {H. -J. Mikeska and C. Luckmann},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0602387},
year = {2009}
}
备注
8 pages, 8 figures