自催化 GaAs 纳米线的场发射
介观与纳米尺度物理
2019-02-20 v1 材料科学
摘要
我们报道了在 Si (111) 上生长的自催化 GaAs 纳米线的场发射观察结果。测量在扫描电子显微镜腔体内进行，使用纳米控制的钨尖作为阳极。实验数据在 Fowler-Nordheim 理论框架下分析。我们展示了从单根纳米线尖端发射的稳定电流高达 10 A，在阳极-阴极距离 d=350 nm 时场增强因子 高达 112。实验发现了 对阳极-阴极距离的线性依赖关系。我们还表明，Ga 催化剂液滴的存在抑制了纳米线尖端的电流发射。这使得能够探测纳米线侧壁的场发射，其场增强因子和稳定性均降低。本研究进一步将 GaAs 技术扩展到真空电子学应用。
引用
@article{arxiv.1709.04790,
title = {Field emission from self-catalyzed GaAs nanowires},
author = {Filippo Giubileo and Antonio Di Bartolomeo and Laura Iemmo and Giuseppe Luongo and Maurizio Passacantando and Eero Koivusalo and Teemu V. Hakkarainen and Mircea Guina},
journal= {arXiv preprint arXiv:1709.04790},
year = {2019}
}
备注
Accepted for publication in Nanomaterials