MoS2纳米花的场发射特性表征
介观与纳米尺度物理
2019-06-19 v1 材料科学
摘要
纳米结构材料因其高长径比在场发射体中具有广泛的潜在应用。我们在铜箔上水热合成MoS2纳米花，并通过尖阳极构型表征其场发射特性，其中使用曲率半径低至30-100nm的钨尖作为阳极，以从低至1-100μm²的小区域测量局域性质。我们证明MoS2纳米花可与其他成熟的场发射体相竞争。事实上，我们表明在600nm阴极-阳极间距下，可测得稳定的场发射电流，其开启场强低至12 V μm⁻¹，场增强因子高达880。
引用
@article{arxiv.1906.07577,
title = {Field Emission Characterization of MoS2 Nanoflowers},
author = {Filippo Giubileo and Alessandro Grillo and Maurizio Passacantando and Francesca Urban and Laura Iemmo and Giuseppe Luongo and Aniello Pelella and Melanie Loveridge and Luca Lozzi and Antonio Di Bartolomeo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.07577},
year = {2019}
}