III-氮化物量子阱中的场辅助 Shockley-Read-Hall 复合
材料科学
2019-04-09 v1
摘要
本文研究了驱动高质量 III-氮化物量子阱中低电流非辐射复合的物理过程。寿命测量揭示，这些复合随电子与空穴波函数的重叠而缩放，并表现出弱温度依赖性，这与关于 Shockley-Read-Hall 复合的普遍经验预期相反。我们引入了量子阱中场助多声子点缺陷复合模型，并证明该模型能定量解释实验数据。本研究为 III-氮化物发光器件的高效率提供了见解。
引用
@article{arxiv.1710.08510,
title = {Field-assisted Shockley-Read-Hall recombinations in III-Nitride quantum wells},
author = {Aurelien David and Christophe A. Hurni and Nathan G. Young and Michael D. Craven},
journal= {arXiv preprint arXiv:1710.08510},
year = {2019}
}