Shockley-Read-Hall（SRH）复合的库仑贡献
材料科学
2025-09-16 v3
摘要
缺陷介导的非辐射复合，即 Shockley-Read-Hall（SRH）复合，被重新表述。所引入的模型考虑了带电深缺陷与趋近的自由载流子之间的库仑吸引，表明该效应可能导致载流子趋近复合中心的速度显著增大。该效应显著提高了载流子俘获率。结果表明，在典型半导体器件或半导体介质中，低温下 SRH 复合不可忽略。在低掺杂半导体中 SRH 更为有效。移动载流子密度的有效屏蔽可减弱该效应，从而导致 SRH 率增加。
引用
@article{arxiv.2310.11823,
title = {Coulomb contribution to Shockley-Read-Hall (SRH) recombination},
author = {Konrad Sakowski and Pawel Strak and Pawel Kempisty and Jacek Piechota and Izabella Grzegory and Piotr Perlin and Eva Monroy and Agata Kaminska and Stanislaw Krukowski},
journal= {arXiv preprint arXiv:2310.11823},
year = {2025}
}
备注
14 pages, 3 figures