一种描述半导体器件中净载流子复合率的改进模型
应用物理
2022-04-11 v2 其他凝聚态物理
摘要
载流子复合是一个显著影响半导体器件(如太阳能电池、光电二极管和发光二极管(LED))性能的过程。因此,一个能够准确描述和量化半导体器件中净载流子复合率的模型对于进一步提高相关半导体器件的性能至关重要。描述净载流子复合率的传统模型是基于所考虑的半导体中没有电流这一条件推导出来的,这仅在半导体不是半导体器件的一部分,因此未连接到外部电路时才成立。传统模型被采用并用于描述作为器件一部分的半导体(即半导体器件中)的净载流子复合率。在本文中,我们推导并提出了一个描述半导体器件中净载流子复合率的新模型。新提出的模型考虑了电流可以在半导体器件的半导体材料中流动这一事实,是对当前所用模型的改进。我们验证了所提出的复合模型,并表明使用该模型对于建模和分析光电器件(如太阳能电池和LED)的性能可能至关重要。
引用
@article{arxiv.2108.10172,
title = {An improved model for describing the net carrier recombination rate in semiconductor devices},
author = {M. L. Inche Ibrahim and Anvar A. Zakhidov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2108.10172},
year = {2022}
}
备注
26 pages, 4 figures