氙基暗物质实验低能响应的综合研究

我们报道了双相氙基暗物质实验中低能反冲能量响应的综合研究。我们建立了一个复合模型，用以解释零场和非零场下复合概率作为反冲能量函数的关系。针对母体复合和体积复合，讨论了电子-离子复合的作用。我们发现非零场下的体积复合受到等离子体效应的约束，该效应由沿电离径迹形成类等离子体电荷云的高密度电荷载流子引起，其屏蔽了内部免受外电场影响。随后，由于两种过程的电离密度差异，证明了决定非零场下体积复合概率的等离子体时间在电子反冲和核反冲之间是不同的。我们展示了核反冲的等离子体时间对场依赖较弱，而电子反冲的等离子体时间对场依赖较强。因此，在与时间相关的复合基础上，通过通用模型确定了电荷和光产额。我们的模型与氙基暗物质实验的现有实验数据吻合良好。