SU(4)分数量子霍尔效应的费米子陈-西蒙斯理论
强关联电子
2015-05-28 v1
摘要
我们为具有SU(4)对称性的单层石墨烯中的分数量子霍尔效应发展了一种费米子陈-西蒙斯（CS）理论，该对称性源于自旋和谷自由度，涉及四个不同的CS规范场。我们选择CS耦合矩阵的相应元素，使得偶数个依赖于自旋和谷量子数的通量量子附着于所有电子，并且任何具有给定自旋和谷量子数的电子看到整数个通量附着于具有不同（自旋和谷）量子数的其他电子。利用这一CS矩阵，我们得到了石墨烯中可能出现的分数量子霍尔态列表，并为这些态提出了波函数。我们的分析同样适用于无自旋极化的双层量子霍尔系统和双层自旋极化石墨烯中的分数量子霍尔态。
引用
@article{arxiv.1105.2828,
title = {Fermionic Chern-Simons Theory of SU(4) Fractional Quantum Hall Effect},
author = {Sanhita Modak and Sudhansu S. Mandal and K. Sengupta},
journal= {arXiv preprint arXiv:1105.2828},
year = {2015}
}
备注
v1; 1 Fig, 2 Tables, 7+ pages