单电子晶体管过渡谱中的 Fano 干涉效应
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v1 材料科学
摘要
我们理论上研究了由单个自组装量子点构成的单电子晶体管（SET）的带内过渡谱。通过运用非平衡格林函数技术和包含三个能级的 Anderson 模型获得了 SET 的极化行为。由于通过电极连续态中两个激发态之间的非辐射耦合，Fano 干涉效应显著影响红外波长单光子谱的峰位置和强度。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0511491,
title = {Fano interference effect on the transition spectrum of single electron transistors},
author = {David M. -T. Kuo},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0511491},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 5 figures