量子干涉对半导体/苯/半导体结中电子输运的影响
介观与纳米尺度物理
2016-08-09 v4
摘要
利用紧束缚模型和广义格林函数形式体系，数值研究了量子干涉对半导体/苯/半导体结中通过苯分子的电子输运的影响。我们展示了量子干涉源、不同的接触位置和局部栅极如何控制电极/分子/电极结的透射特性。我们还利用简单的图示方案（见参考文献 [Phys. Chem. Chem. Phys, 2011, 13, 1431]）研究了不同苯分子与半导体（硅和二氧化钛）电极接触几何构型下透射概率函数中反共振态的出现。
引用
@article{arxiv.1408.3681,
title = {Effects of quantum interference on the electron transport in the semiconductor$/$benzene$/$semiconductor junction},
author = {Javad Vahedi and Zahra Sartipi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1408.3681},
year = {2016}
}
备注
11 pages, 12 figures