IETS 与量子干涉：存在干涉特征时的倾向规则
介观与纳米尺度物理
2014-10-01 v1
摘要
单分子电子学中的相消量子干涉是一个引人入胜的现象；然而，区分量子干涉效应与普遍的低透射率并非易事。在本文中，我们讨论了透射中的量子干涉效应如何导致低电流或电流 - 电压曲线中的特定线形，这取决于干涉特征的位置。其次，我们考虑如何利用非弹性电子隧穿谱 (IETS) 通过识别在量子干涉效应占主导时被选择性抑制的振动模式，来探测干涉特征的存在。也就是说，我们将非弹性电子隧穿谱中倾向规则的理解扩展到了具有相消量子干涉的分子。
引用
@article{arxiv.1409.3388,
title = {IETS and quantum interference: propensity rules in the presence of an interference feature},
author = {Jacob Lykkebo and Alessio Gagliardi and Alessandro Pecchia and Gemma C. Solomon},
journal= {arXiv preprint arXiv:1409.3388},
year = {2014}
}
备注
19 pages, 6 figures