交流Kondo区单电子晶体管的动态响应
介观与纳米尺度物理
2015-06-12 v1 强关联电子
摘要
在非平衡Kondo区，理论上研究了受微波辐照的磁场中单电子晶体管(SET)。考虑了频率为Ω的微波的双重效应：电压以频率Ω振荡，以及耦合参数以频率Ω/p (p∈ℕ)振荡。我们在Toulouse极限下的特定点用Kondo模型描述该系统。提出了一种非微扰技术：将非平衡格林函数和物理可观测量在2πp/Ω周期上平均。当微波辐照仅影响电压时，观察到先前研究中所描述的Kondo卫星。此外，当Kondo耦合随时间振荡时，SET的微分电导和磁化率特征变得更加丰富。我们得到了卫星峰分裂。这解释了实验结果中可能出现的现象：微分电导-磁振幅特性G(H)或微分电导-直流电压特性G(V_dc)中出现的峰间距可以小于ħΩ。
引用
@article{arxiv.1212.3095,
title = {Dynamic response of a single-electron transistor in the ac Kondo regime},
author = {Thanh Thi Kim Nguyen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1212.3095},
year = {2015}
}
备注
12 pages, 5 figures