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量子线中外部电压源与隧穿

强关联电子 2009-10-31 v1 介观与纳米尺度物理

摘要

我们在本文中重新考察了通过量子线中势垒隧穿的问题,此处的 Luttinger 相互作用参数可为任意值。通过将量子霍尔边态情况下的可积方法与引入描述与储槽adiabatic 耦合的辐射边界条件相结合,我们能够获得精确的平衡态和非平衡电流。最显著的特征之一是,在强相互作用 regime g <= 0.2 时观察到负微观导电率。尽管存在各种充电效应,仍然观察到一种显著的二义性形式。附录中收集了关于可积势垒问题中传输性质的新结果。特别是,我们证明了 TBA 结果满足一种显著的关系,这一关系最初是通过 Keldysh 形式主义推导得出,涉及当前在非平衡条件下 T^2 修正项与该当前在 T=0 时相对于电压的二阶导数之间的联系。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/0007037,
  title  = {External voltage sources and Tunneling in quantum wires},
  author = {A. Koutouza and F. Siano and H. Saleur},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0007037},
  year   = {2009}
}

备注

16 pages, 7 figures