扩展的Sn-O层状体系同源系列：一项第一性原理研究
材料科学
2016-06-21 v1
摘要
除了研究最多的锡氧化物化合物SnO和SnO2之外，一百多年来一直有人声称存在中间态。除了已知的同源系列（Seko等人，Phys. Rev. Lett. 100, 045702 (2008)）之外，我们在此预测了几种新化合物的存在，其O浓度介于50%（SnO）和67%（SnO2）之间。所有这些中间化合物都是通过移除SnO2的一个或多个(101)氧层而构建的。由于已知范德瓦尔斯（vdW）相互作用对Sn-Sn层间距很重要，我们使用了vdW修正的泛函，并将这些结果与使用PBE和杂化泛函获得的结果进行了比较。我们展示了中间结构的电子性质，并观察到当(i) O浓度增加和(ii) 在给定浓度下存在更多类SnO单元时，带隙减小。我们还研究了不同原子对价带和导带的贡献。
引用
@article{arxiv.1606.06187,
title = {Extended homologous series of Sn-O layered systems: a first-principles study},
author = {Kirsten Govaerts and Bart Partoens and Dirk Lamoen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1606.06187},
year = {2016}
}
备注
8 pages