利用 OxRAM 阻变特性改善 CMOS 图像传感器的动态范围
新兴技术
2017-05-09 v1
摘要
我们提出了一种在 CMOS 图像传感器 (CIS) 中应用 OxRAM 器件以改善动态范围 (DR) 的独特方案。我们提出了一种改进的 3T-APS (有源像素传感器) 电路，该电路采用了 1T-1R 配置的 OxRAM。通过在曝光期间自主编程 OxRAM 器件电阻来压缩像素输出信号，从而实现 DR 改善。我们表明，通过仔细预调节 OxRAM 电阻，可以增强像素 DR。讨论了 OxRAM 从 SET 到 RESET 以及从 RESET 到 SET 的跃迁对像素 DR 的详细影响。为了针对特定 OxRAM 预编程状态进行实验验证，制造并表征了一个 4 Kb、10 nm 厚的 HfOx (1T-1R) 矩阵。在我们的设计中，最佳情况下获得了约 50 dB 的相对像素 DR 改善。
引用
@article{arxiv.1705.02338,
title = {Exploiting OxRAM Resistive Switching for Dynamic Range Improvement of CMOS Image Sensors},
author = {Ashwani Kumar and Mukul Sarkar and Manan Suri},
journal= {arXiv preprint arXiv:1705.02338},
year = {2017}
}