标准 CMOS 图像传感器中的转换增益增强
仪器与探测器
2020-10-23 v1
摘要
本文关注在标准 CMOS 图像传感器（CIS）工艺中实现钉扎光电二极管（PPD）与像素内电压跟随器的像素之转换增益（CG）。给出了 CG 表达式及其对 CIS 读出链噪声性能影响的概述。介绍了涉及工艺改进以及纯电路设计和像素方案优化的 CG 增强技术。这些技术在 180 nm CIS 工艺中的实现表明，相对于同一代工厂的标准参考像素，CG 逐步增强超过 3 倍，从而得以更好地理解感测节点电容与 CG 上的不同寄生元件。
引用
@article{arxiv.2010.11309,
title = {Conversion Gain Enhancement in Standard CMOS Image Sensors},
author = {Assim Boukhayma},
journal= {arXiv preprint arXiv:2010.11309},
year = {2020}
}
备注
30 pages, 17 figures