拓扑表面态包裹体相 SnTe 晶体的实验证据
材料科学
2017-11-22 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们证明了金属拓扑表面态包裹在三维拓扑晶体绝缘体 SnTe 的所有侧面。这是通过研究倾斜磁场下的振荡量子磁输运和磁化强度实现的,这使我们能够观察到来自相邻样品侧面的同时贡献。考虑到 SnTe 储库对费米能量的钉扎作用,我们在理论上成功描述了磁化的 de Haas-van Alphen 振荡。确定的表面态 -Berry 相位证实了其狄拉克费米子特性。我们独立观察到了源自高孔穴密度体相 SnTe 储库的磁输运和磁化强度的振荡贡献。结论是体相和表面朗道态平行存在。我们的主要结果,即体相储库在所有侧面都被拓扑表面态包围,具有普遍性。
引用
@article{arxiv.1707.05999,
title = {Experimental evidence for topological surface states wrapping around bulk SnTe crystal},
author = {K. Dybko and M. Szot and A. Szczerbakow and M. U. Gutowska and T. Zajarniuk and J. Z. Domagala and A. Szewczyk and T. Story and W. Zawadzki},
journal= {arXiv preprint arXiv:1707.05999},
year = {2017}
}
备注
5 pages, 2 figures, 12 pages supplemental material