基于 Al${}_\text{x}$Ga${}_\text{1-x}$As/GaAs 的量子环中的过量噪声
介观与纳米尺度物理
2019-12-11 v1
摘要
在刻蚀的 AlGaAs/GaAs 基量子环中，于浴温 的平衡态下进行了互关联噪声测量。测得的白噪声超出了由测得电子温度 与电阻 所预期的热（Johnson-Nyquist）噪声。该白噪声的过量部分随 升高而减小，并在 时消失。若量子环的一臂被耗尽电子，或在长度与宽度可与量子环相比拟的一维收缩结构中，均未观测到过量噪声。本文给出一个模型，表明过量噪声源于噪声源的关联，由电子的相位相干传播所介导。
引用
@article{arxiv.1912.04397,
title = {Excess noise in Al${}_\text{x}$Ga${}_\text{1-x}$As/GaAs based quantum rings},
author = {Christian Riha and Sven S. Buchholz and Olivio Chiatti and Andreas D. Wieck and Dirk Reuter and Saskia F. Fischer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1912.04397},
year = {2019}
}
备注
4 pages, 4 figures