单电子盒中的额外耗散：西西弗斯电阻
超导电性
2015-05-13 v2 其他凝聚态物理
摘要
我们展示了单电子盒(SEB)交流响应的测量结果。我们施加一个频率大于隧穿速率的射频信号，将系统驱动至非平衡态。我们观察到SEB中的耗散远大于简单电路模型的预期。我们可以用一种我们称之为西西弗斯电阻的机制来解释这一点。西西弗斯电阻具有很强的栅极依赖性，可用于静电计应用。
引用
@article{arxiv.0902.4316,
title = {Excess dissipation in a single-electron box: The Sisyphus resistance},
author = {F. Persson and C. M. Wilson and M. Sandberg and G. Johansson and P. Delsing},
journal= {arXiv preprint arXiv:0902.4316},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 3 figures