过剩电荷作为一维拓扑晶体绝缘相的探针
介观与纳米尺度物理
2017-12-27 v2
摘要
我们证明，在常规一维绝缘体中，系统边界附近产生的过剩电荷可以用与电子布洛赫波函数相关的贝里相位来表示。利用这一对应关系，我们揭示了过剩电荷与近期分类的由空间对称性保护的一维拓扑相的拓扑不变量之间的联系。因此，过剩电荷可用作晶体拓扑的探针。
引用
@article{arxiv.1710.06233,
title = {Excess charges as a probe of one-dimensional topological crystalline insulating phases},
author = {Guido van Miert and Carmine Ortix},
journal= {arXiv preprint arXiv:1710.06233},
year = {2017}
}