单个Ni纳米颗粒中异常强的自旋转移

本快报报道了在0.06 K温度下，通过单个纳米尺度Ni颗粒中离散的盒中电子能级进行电子输运时的自旋转移效率研究。在强磁场中，通过测量能级的塞曼分裂振幅来估算自旋转移速率。我们发现自旋转移速率与电荷转移速率相当，表明与较大磁体相比自旋转移效率显著增强。在低磁场中，我们发现额外的能量分裂，证明自旋转移速率远高于电荷转移速率。该效应用强介观自旋轨道力矩解释，该力矩是响应顺序电子隧穿而施加在磁化强度上的。