单电子隧穿中自旋翻转率的直接测量

自旋翻转是基于自旋的信息处理中的限制因素之一。我们展示了一种输运方法，用于确定由单个电子占据的自组装InAs双量子点的自旋翻转率。在此类器件中，不同的朗德（Landé）因子导致非均匀塞曼分裂，使得两个自旋通道永远无法同时处于共振，从而在低温下产生自旋阻塞。我们在不同温度与磁场下根据自旋翻转对该阻塞进行分析。我们的结果与一个量子主方程吻合良好，该方程将量子点-引线耦合与源自自旋翻转共隧穿的欧姆耗散相结合。