平带超导体中超越钱德拉塞卡-克洛格斯顿极限：多带强耦合方法

超导体与磁体的杂化系统展现出若干引人入胜的特性，无论就基础物理观点还是实际应用而言皆然。超导自旋电子学中颇具前景的应用推动人们寻找这样的体系：其中超导电性可承受比常规极限更大的面内临界磁场。钱德拉塞卡-克洛格斯顿（CC）极限适用于具有面内磁场的薄膜常规超导体，此时轨道效应可忽略。对于磁场强度与零温零场下超导能隙相当时，自旋分裂的正常态获得比超导态更低的自由能。已有研究表明，位于费米面之下紧邻处的平带多带超导体可利用弱耦合理论超越 CC 极限。由于决定临界温度的无量纲耦合随态密度标度，鉴于平带的大态密度，自然可预期平带体系中强耦合理论的修正。我们推导了磁场中多带超导体的 Eliashberg 方程与自由能。首先，我们表明在单带强耦合超导体中，由于磁场的自能重整化，可少量超越 CC 极限。接着，我们考虑含一条平带的两带系统，发现即便在强耦合理论中、甚至包含能带间杂化时，也可大幅超越 CC 极限。