顺磁对破缺与自旋轨道耦合对多带超导的影响

超导的BCS图像描述了源自单一能带的电子之间的配对。这一图像在多带超导体中得到推广，其中来自两个或更多能带的电子对超导有贡献。与单带情形相比，不同能带的贡献可导致临界场的整体增强，并可引起上临界场温度依赖性的定性变化。尽管轨道对破缺在多带超导体临界场中的作用已被广泛探讨，顺磁与自旋轨道散射效应受到的关注相对甚少。在此，我们利用Nd掺杂的SrTiO$_3$薄膜研究该问题。此外，我们提出了一个在存在轨道、顺磁与自旋轨道效应时分析临界场温度依赖性的模型，并发现与我们的数据非常吻合。有趣的是，我们还观察到面外临界场戏剧性地增强到远超Chandrasekhar-Clogston（Pauli）顺磁极限的值，这可理解为存在自旋轨道散射时多带效应的结果。