一类高度受挫哈伯德模型的精确低温性质
强关联电子
2009-02-07 v2
摘要
我们在一族高度受挫的晶格上解析和数值地研究了排斥哈伯德模型，这些晶格具有局域在孤立俘获胞上的单电子态。我们构造并计数了宽电子密度范围内的精确多电子基态，并得到了低温热力学量的闭式表达式。此外，我们发现饱和铁磁性仅在足够高的电子密度和大的哈伯德排斥 下获得，而在较低密度下基态中没有有限平均磁矩。
引用
@article{arxiv.0807.2991,
title = {Exact low-temperature properties of a class of highly frustrated Hubbard models},
author = {Oleg Derzhko and Andreas Honecker and Johannes Richter},
journal= {arXiv preprint arXiv:0807.2991},
year = {2009}
}
备注
8 pages, 7 figures, accepted for publication in Phys. Rev. B