外延 UN 与 $\alpha$-U$_2$N$_3$ 薄膜
材料科学
2018-03-07 v1
摘要
通过反应式直流磁控溅射首次生长出 UN 和 UN 的单晶外延薄膜。这些薄膜为对潜在事故容错燃料 UN 及其中间氧化产物 UN 进行基础研究提供了理想样品。利用 X 射线衍射 (XRD) 和 X 射线光电子能谱 (XPS) 对薄膜进行表征，XRD 分析显示两种薄膜均为 [001] 取向且由单畴组成。测得 UN 和 UN 薄膜的镜面晶格参数分别为 4.895\,\AA{} 和 10.72\,\AA{}，其中 UN 薄膜的切偏离角为 2.6\,。XPS 显示两种薄膜的 N-1s 峰存在显著差异，面积分析表明两种薄膜均为化学计量比。
引用
@article{arxiv.1803.02226,
title = {Epitaxial UN and $\alpha$-U$_2$N$_3$ Thin Films},
author = {E. Lawrence Bright and S. Rennie and M. Cattelan and N. A. Fox and D. T. Goddard and R. Springell},
journal= {arXiv preprint arXiv:1803.02226},
year = {2018}
}
备注
7 pages, 11 figures