通过条纹状跳跃各向异性实现二维中增强的配对态形成
强关联电子
2009-10-31 v1 超导电性
摘要
我们研究了在二维正方形 t-J-U 模型中，针对零电子密度情况下的两电子配对态形成问题。这些各向异性跳跃用于模拟在各种过渡金属氧化物中找到的孔隙和自旋排列类似的跳跃能。我们提供了该问题的解析解，从而表明配对态在临界交换耦合 J_c 处形成，该耦合随极端跳跃各向异性 t_y/t_x → 0 而趋于零。该结果需与 J_c/t = 2 的一维链或各向同性二维平面结果进行比较。更重要的是，此行为与两脚梯问题中两电子在 t_interchain/t_intrachain → 0 极限下的行为在本质上相似。以后者结果为指导，我们计算了配对相关函数，从而确定配对态对应于一电子在一条链上运动，另一电子在相邻的另一条链上运动，类似于两个电子沿平行相邻金属条纹受限运动的情况。我们强调，上述结果不局限于零密度极限——我们对 12×2 两脚梯模型中两空穴的精确对角化研究表明，近邻半填态下，随着跳跃各向异性增加，束缚能仍呈下降趋势。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0010116,
title = {Enhanced Bound State Formation in Two Dimensions via Stripe-Like Hopping Anisotropies},
author = {Saurabh Basu and R. J. Gooding and P. W. Leung},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0010116},
year = {2009}
}
备注
6 pages, 3 eps figures