交换耦合平面 t-J-U 模型中的双电子束缚态形成
强关联电子
2009-11-13 v1
摘要
各向异性 t-J-U 模型哈密顿量用于模拟稀薄极限下准二维材料中的电子行为，并作为高温超导铜氧化物弱耦合 CuO2 平面的高度简化表示，我们通过完全抑制平面间跳跃来模拟极差的平面外电导率。然而，我们确实包含了非常弱的平面间超交换，因此正在考虑一个交换耦合平面模型。对于稀薄极限下的各向同性三维系统，我们发现双粒子束缚态的形成需要 Jc/t ~ 5.9。此外，已知对于二维正方格子，Jc/t = 2。然而，对于我们的交换耦合平面模型，任何无穷小的平面间交换 (Jc = 0) 都足以形成束缚态。
引用
@article{arxiv.0709.1889,
title = {Two-electron bound state formation in the t-J-U model for exchange-coupled planes},
author = {A. Morriss-Andrews and R. J. Gooding},
journal= {arXiv preprint arXiv:0709.1889},
year = {2009}
}