费米能级不同钉扎状态下半导体表面的吸附能——第一性原理研究
材料科学
2013-08-23 v2
摘要
研究表明，半导体表面的吸附能关键取决于吸附物种的电荷转移方向及大小。对于不涉及电荷转移的过程（如闭壳层系统的分子吸附），吸附能仅由成键作用决定。而在涉及电荷转移的情况下（如金属原子等开壳层系统或解离分子），费米能级的不同钉扎状态会导致能量取不同值。对氢覆盖 GaN(0001) 表面氨吸附的 DFT 模拟证实了上述预测：分子吸附能与覆盖度无关，而解离过程的能量则变化达数个电子伏特。
引用
@article{arxiv.1307.5778,
title = {Energy of adsorption at semiconducting surfaces with Fermi level differently pinned -- ab initio study},
author = {Paweł Kempisty and Paweł Strak and Konrad Sakowski and Stanisław Krukowski},
journal= {arXiv preprint arXiv:1307.5778},
year = {2013}
}
备注
18 pages, 6 figures