利用光电子能谱研究UTSn（T=Ni, Pd）的电子结构
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
我们采用光电子能谱 (PES) 技术研究了局域化 系统 UTSn（T=Ni, Pd）的电子结构。提取的 U PES 谱表现为在约 eV 能级下 以下的宽峰，且在 附近的光谱权重较小（N(）。在 UTSn 中发现的小 N() 与 T PES 谱相关，其在 附近的态密度 (DOS) 极低。UTSn 的高分辨率 PES 谱显示出在 附近呈V形的减弱金属性态密度，但未在磁相变跨越时揭示其电子结构是否有明显变化。解释 UTSn 中 N() 减小的可能机制，认为是与 T 在 附近极低的态密度的杂化有关。将实测 PES 谱与 LSDA+ 能带结构计算结果进行比较，UPdSn 的结果基本吻合，但UNiSn 的结果则不尽如人意。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0307523,
title = {Electronic structures of UTSn (T=Ni, Pd) using photoemission spectroscopy},
author = {J. -S. Kang and S. C. Wi and J. H. Kim and K. A. McEwen and C. G. Olson and J. H. Shim and B. I. Min},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0307523},
year = {2007}
}
备注
7 pages, 6 figures