过渡金属双磷化物 TaAs2 的电子结构

Sabin Regmi; Cheng-Yi Huang; Mojammel A. Khan; Baokai Wang; Anup Pradhan Sakhya; M. Mofazzel Hosen; Jesse Thompson; Bahadur Singh; Jonathan D. Denlinger; Masahiro Ishigami; J. F. Mitchell; Dariusz Kaczorowski; Arun Bansil; Madhab Neupane

doi:10.1088/1361-648X/ad04fc

过渡金属双磷化物 TaAs2 的电子结构

介观与纳米尺度物理 2023-11-16 v1 材料科学

作者: Sabin Regmi , Cheng-Yi Huang , Mojammel A. Khan , Baokai Wang , Anup Pradhan Sakhya , M. Mofazzel Hosen , Jesse Thompson , Bahadur Singh , Jonathan D. Denlinger , Masahiro Ishigami , J. F. Mitchell , Dariusz Kaczorowski , Arun Bansil , Madhab Neupane

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摘要

过渡金属双磷化物(TMDs)家族因具有拓扑态和极大大磁阻(MR)而受到理论与实验关注。近来,该家族成员 TaAs2 被预测支持拓扑晶体绝缘态。本文利用高分辨率角分辨光电子能谱(ARPES),揭示了其金属性费米面上的闭合与开放口袋,以及(201)面上的线性色散能带,并在磁输运测量中观测到极大大磁阻。将 ARPES 结果与第一性原理计算对比表明,TaAs2 被测表面的线性色散能带为平庸体带。(201)面上对称性保护表面态的缺失表明其具有拓扑暗本性。开放费米面特征的存在提示,开放轨道费米学可能对 TaAs 的极大大磁阻有贡献。

关键词

过渡金属双磷化物 TaAs2 角分辨光电子能谱极大大磁阻费米面拓扑晶体绝缘体第一性原理计算

引用

@article{arxiv.2311.09055,
  title  = {Electronic structure in a transition metal dipnictide TaAs2},
  author = {Sabin Regmi and Cheng-Yi Huang and Mojammel A. Khan and Baokai Wang and Anup Pradhan Sakhya and M. Mofazzel Hosen and Jesse Thompson and Bahadur Singh and Jonathan D. Denlinger and Masahiro Ishigami and J. F. Mitchell and Dariusz Kaczorowski and Arun Bansil and Madhab Neupane},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2311.09055},
  year   = {2023}
}

备注

13 pages, 5 figures

过渡金属双磷化物 TaAs2 的电子结构

摘要

关键词

引用

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