具有 HoCoGa$_5$型四方晶体结构的镕金族元素化合物电子性质
强关联电子
2007-05-23 v1
摘要
采用以局域密度近似为基准的相对论线性增广平面波方法，我们研究了镕金族元素化合物 NpTGa、PuTGa 和 AmCoGa 中含有过渡金属原子 T 的能带结构和费米面。我们发现，费米能附近的能带主要来源于 与 Ga 电子之间的强杂化。在 PuTGa 中，我们观察到当 T=Co、Rh、Ir 时，费米面呈现多个大体积的圆柱形片。我们对 PuCoGa 理论估算了 de Haas-van Alphen (dHvA) 频率。也发现 NpFeGa、NpCoGa 和 NpNiGa 的费米面与 UCoGa、UNiGa 和 PuCoGa 的费米面在除少数细节外相似。在 AmCoGa 中，费米面由大型圆柱形电子片和小型封闭形空穴片组成，与 PuCoGa 类似。这种相似性基本上可基于刚性带图景中费米面内部电子数变化来理解。我们讨论了与 NpTGa dHvA 实验结果比较的理论费米面。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0412647,
title = {Electronic Properties of Transuranium Compounds with HoCoGa$_5$-Type Tetragonal Crystal Structure},
author = {Takahiro Maehira and Takashi Hotta and Kazuo Ueda and Akira Hasegawa},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0412647},
year = {2007}
}
备注
13 pages, 20 figures