YCoGa$_5$的单晶生长、输运性质及电子能带结构
超导电性
2013-07-16 v1 材料科学
摘要
通过 Ga 自助熔剂法生长了 YCoGa5 单晶。本文报道了 YCoGa5 的单晶生长、晶体学参数、电阻率、热容及能带结构结果。YCoGa5 具有 HoCoGa5 型结构（空间群 P4/mmm (No. 123), Z = 1, a = 4.2131(6) A, c = 6.7929(13) A），该结构与被广泛研究的重费米子超导体系 CeMIn5 (M = Co, Rh, Ir) 以及非常规超导体 PuCoGa5 (Tc = 18.5 K) 同构。在低至 1.75 K 的温度下未观察到超导性。能带结构计算结果表明，其费米能级处的能带主要由 Co-3d 和 Ga-4p 电子态组成，这解释了其物理性质与 YbCoGa5 和 LuCoGa5 的相似性。
引用
@article{arxiv.1307.3643,
title = {Single Crystal Growth, Transport, and Electronic Band Structure of YCoGa$_5$},
author = {Xiangde Zhu and Wenjian Lu and Wei Ning and Zhe Qu and Li Li and T. F. Qi and Gang Cao and Cedomir Petrovic and Yuheng Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1307.3643},
year = {2013}
}
备注
13pages, 5 figures