应变下锰化合物的电子性质

我们利用精确的第一性原理赝势计算研究了应变下 MnAs 的物理性质。我们的结果为在不同晶格失配衬底上外延生长的应变多层膜的物理性质提供了新见解，这些多层膜目前因自旋电子学应用而备受关注。我们计算了结构参数、电子能带、态密度和磁化强度的应变依赖性。在易于直接测量的应变/应力区域，对这些物理量的影响是线性的。我们还探讨了单轴应力的情况，该应力对电子和磁性质产生了显著的强非线性效应。